第三代半導體材料碳化硅具有禁帶寬度大、臨界擊穿電場強度高、電子飽和遷移速率大、電子密度高、熱導率高、介電常數低，具備高頻高效、耐高壓、耐高溫，以及抗輻射能力強等諸多優越性能，因而能制備出在高溫下運行穩定，在高電壓、高頻率等極端環境下更為穩定的半導體器件，是支撐固態光源、功率半導體、微波射頻器件的“核芯”材料和電子元器件，可以起到減小體積簡化系統，提升功率密度的作用。
現階段，國內仍未建立專門針對碳化硅功率半導體器件的試驗標準和評價方法，碳化硅功率半導體器件的驅動技術和保護技術仍需加強。因此，國內中游廠商為提高碳化硅器件柵級工作壽命和穩定性，迫切需要對碳化硅功率半導體器件進行多種測試，提高碳化硅功率半導體器件的使用壽命和穩定性。
航裕電源運用十余年專業電源研發制造技術，服務于國家科創興國戰略，為功率半導體技術發展竭盡全力，推出多款碳化硅半導體器件測試專用電源，推動碳化硅、氮化鎵等半導體器件制造工藝的提升與發展，助力功率半導體科創事業騰飛。
1、 靜態特性測試
碳化硅功率半導體器件的柵極氧化層面臨著更高的電場強度。由于制造工藝導致碳化硅功率半導體器件界面態密度高出了近2~3個數量級，由此引起的柵極閾值電壓不穩定性嚴重影響了碳化硅的可靠性。
■ 耐壓測試
耐壓測試是最常見的靜態測試。它包括施加一個預設好的電壓，輸出電壓作用于被測物，并持續一段時間，電壓值和持續時間長短視具體應用工況而定。
該測試可采用以下電源
HY-HV系列可編程高壓直流電源
*高壓小電流電源，電壓耐久性測試專用
■ 輸出電壓型號有2kV、3kV、4kV、5kV、6kV、8kV、10kV、15kV、20kV······50kV等
■ 高功率密度：單機最大150kW
■ 工作模式：恒壓CV、恒流CC，CV/CC優先可設
■ 支持前面板編程，無須上位機軟件控制
■ 上升和下降斜率可調（電壓/電流）
■ 電源輸出軟啟動功能
■ 16 bits D/A 高精度轉換器，輸出精確
■ 20 bits A/D 高精度轉換器，回讀更準
■ 高壓擊穿測試
碳化硅禁帶寬度為硅的3倍左右，意味著需要更大的能量來激發電子導電，要求很高的擊穿電場強度。
航裕電源HY-HVL系列線性可編程高壓直流電源，輸出電壓型號有1.25kV、2.5kV、5kV、10kV、15kV、20kV、30kV、40kV、50kV等多種范圍可選，滿足多元化高壓器件擊穿測試需求，具有高精度，低干擾，低紋波等優勢，適合高精密測試與測量，可進行高壓器件擊穿測試、高壓組件測試、高壓電阻率測試、絕緣耐壓測試、二極管反偏測試等。
該測試可采用以下電源
HY-HVL系列線性可編程高壓直流電源
*滿足高壓、高精度的測試需求
■ 輸出電壓型號有1.25kV、2.5kV、5kV、10kV、15kV、20kV、30kV、40kV、50kV等
■ 輸出電流范圍：500μA-50mA
■ 工作模式：恒壓CV、恒流CC，CV/CC優先可設
■ 超低干擾、超低紋波，適合高精密測試與測量
■ 支持前面板編程，無須上位機軟件控制
■ 上升和下降斜率可調（電壓/電流）
